比2nm更先进!台积电A14制程曝光

4月29日消息,台积电业务开发资深副总裁张晓强对外表示,台积电A14制程不采用High-NAEUV技术。据悉,台积电A14制程不引入High-NAEUV光刻技术,仍然坚持使用原有的EUV光刻设备,...

4月29日消息,台积电业务开发资深副总裁张晓强对外表示,台积电A14制程不采用High-NA EUV技术。

据悉,台积电A14制程不引入High-NA EUV光刻技术,仍然坚持使用原有的EUV光刻设备,台积电相信,即便没有High-NA EUV光刻设备,A14制程依然可以实现性能、密度、良品率等目标。

资料显示,A14是台积电的下一世代制程技术,这是台积电1.4nm级半导体工程,其表现明显超越当前已经商用的3nm工艺和即将商用的2nm工艺。

台积电公布的数据显示,与N2工艺(2nm)相比,A14在相同功耗下实现高达15%的速度提升,或在相同速度下降低高达30%的功耗,同时逻辑密度将提升20%以上。

按照台积电的计划,A14计划于2028年投产,除了A14,台积电还规划了A14P、A14X、A14C等多种衍生版本。

比2nm更先进!台积电A14制程曝光-图1

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